Η Samsung ανακοίνωσε πρόσφατα ότι θα ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή των επεξεργαστών mobile και θα εφαρμόσει την τεχνολογία 14 nm FinFET.

Η Samsung ανακοίνωσε πρόσφατα ότι θα ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή των επεξεργαστών mobile και θα εφαρμόσει την τεχνολογία 14 nm FinFET,
την οποία είναι πιθανό να δει ο οκταπύρηνος Exynos 7. Τώρα, κάνοντας ένα άλμα μπροστά, η Samsung αποκάλυψε ότι εργάζεται και για την τεχνολογία 10nm FinFET ημιαγωγών.

Η νοτιοκορεατική εταιρεία ανακοίνωσε στη Διεθνή Διάσκεψη2015 Solid-State Circuits (ISSCC) στο Σαν Φρανσίσκο, ότι θα είναι η "πρώτη που θα χρησιμοποιήσει την τεχνολογία ημιαγωγών του κόσμου με 10nm FinFET.

Ο πρόεδρος της Samsung Κιμ Κι-nam της Semiconductor Business, τόνισε ότι τα τσιπ 10nm FinFET θα είναι ένα σημαντικό βήμα στην έλευση του"Internet of Things" (διαδίκτυο των πραγμάτων)." Επιπλέον, ο Ki-nam μίλησε επίσης για τη χρήση της τεχνολογίας 10nm που έρχονται στην DRAM και μάρκες 3D V-NAND. Η Samsung, ωστόσο, δεν έχει αποκαλύψει πολλές λεπτομέρειες για τα τσιπ 10nm FinFET. Για πρώτη φορά αναφέρθηκε από το ZDNet της Κορέας.

Είναι ενδιαφέρον ότι και η Intel στην εκδήλωση ISSCC μίλησε επίσης για 10nm FinFET, αν και η εταιρεία επιβεβαίωσε ότι θα παρουσιάσει τις νέες μάρκες το 2016, ενώ τα τσιπ 7 nm μπορεί να αναμένονται το 2018. Η μεταπήδηση της Intel με τρανζίστορ κατασκευής 14 nm καθυστέρησε.

Επιστρέφοντας στην Exynos 7 οκταπύρηνη σειρά της Samsung, η εταιρεία δεν έχει ακόμη ανακοινώσει τις προδιαγραφές του chipset. Είναι πιθανό ότι αυτός επεξεργαστής θα χρησιμοποιηθεί στο επερχόμενο Samsung Galaxy S6 και Galaxy S6 Edge, που αναμένεται να ανακοινωθεί στην έκθεση του 2015 Mobile World Congress στη Βαρκελώνη.